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HCI(氯化氫)合成是采用氫氣和氯氣中不爆炸的條件下進行的方法來制備。該反應的發生需要一定的前提條件，需提供一定的能量，在光照或加熱的情況下，二者能迅速反應，并釋放出大量的熱。
所以說，氯化氫氣體合成，二者的反應速率和合成副產物熱量的吸收是合成過程成功的關鍵。
氫被電解陰極室冷卻和洗滌，這很大程度的降低了氣相溫度且消除了氣相中心區中的堿霧雜質。 氫氣通過氫氣壓縮機送入氣柜，氫氣純度超過98％。 分離和滅火裝置進入合成爐的燃燒器。 原料氯氣通過電解陽極室冷卻，干燥和凈化，并通過氯氣離心壓縮機送至工藝的氯緩沖液中，并通過節流調節器調節，氯氣壓力為0。 IMPa·進入合成爐燃燒器。 氯氣的純度為95％或更高，氫含量為0.4或更低。 還有利用液化小生氣，送入該工藝的排氣緩沖器，并節流到合成爐的燃燒器中，氯氣純度大于70％，氫氣含量小于3.5％。
氯氣和氫氣通過節流控制并混合并在石英或鐵套筒式燃燒器中以1.0..1.05至1.10的比例燃燒。 石英的傳熱緩慢，從套筒端口傳遞的熱量不容易丟失，并且可以恒定地保持溫度以繼續合成反應。 合成后的氯化氫氣體中心溫度為1000℃以上。 爐壁的溫度也可以達到400-500℃，并通過風道冷卻到156以下，進入圓形石墨冷卻器。 用工業用水冷卻，將冷卻器的氣體溫度降低到常溫，然后取出一部分降膜吸收塔。 來自尾吸收塔的稀鹽酸向下流過分液管，吸收到3l％鹽酸中成為油槽; 未吸收的氯化氫尾氣和頂部加入的吸收水在尾氣填充柱中逆流接觸。 它被吸收到約11％的稀酸滴式吸收塔中。 合格的廢氣通過鼓風機泵送和排出，另一部分氯化氫被冷凍干燥并除去。 它由Nessler泵泵送到氯乙烯合成。
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